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　　海力士半导体，总部位于韩国利川，是世界上的最先进的存储半导体的供应商之一。海力士自行设计、开发、生产并销售以DRAM和NAND Flash为主以及由DRAM和NAND Flash衍生出的一些的存储半导体产品．当前，这些存储半导体产品，被广泛地应用于计算机、消费电子以及通信产品等领域。为了实行业务多样化战略，拓展手机市场，2008年海力士开始进军CMOS图象传感器的市场。

　　海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前，海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

　　海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。

　　另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满 意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。

　　DRAM

　　海力士以生产半导体电路的最大能力，为追求高品质，在制造及过程中运用革新的技术， 正努力研发新一代的DRAM产品。

　　海力士已领先研发高容量，超小型的DRAM，使之成为独一无二的应用设计。 并支援DDR, DDR2及 DDR3界面的所有4M至1GB的产品，亦可使用于Graphic DRAM(GDDR3 and GDDR4) 系列。海力士亦提供可使用于移动应用如手提的低耗电的DRAM产品。

　　提供多种电脑、手提电脑及伺服器的记忆组件。通过全球制造和销售支援网络，海力士已由主要的DRAM供应商转为全球主要的OEM。

　　海力士会继续致力研发新产品和技术，迎合市场要求。

　　NAND快闪记忆体

　　海力士半导体自2004年从事NAND以来，凭著不断地研发产品和积极行销，成为NAND快闪记忆体市场的先导企业之一。

　　海力士除提供如记忆卡、, MMC, SD, CF, xD Picture Card 和 USB flash Drive等的资料储存移除装置NAND快闪组件外，还有很多要使用MCP, DOC (Disk on chip) 和嵌入式快闪磁碟 (Embeded Flash Drive)科技的数码产品如MP3、 PMP、数码相机、数码摄录机、手提式及桌上电脑、手机等的全面NAND解决方案。

　　海力士提供多种128Mb至 64Gb的单层单元闪存SLC（Single Level Cell）和多层单元闪存MLC（Multi Level Cell）的产品。另外，亦正大量生产如TSOP, USOP, FBGA, LGA 等不同封装来迎合客户不同的需要。

　　海力士半导体并不满足于现在的NAND Flash事业，但会通过发展技术和改良生产力，为客户提供高质产品和服务而尽最大努力。

　　2005.07 提前从企业重组完善协议中抽身而出

　　2005.04 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼

　　2005.03 发布2004年财务报表，实现高销售利润

　　2005.01 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议

　　2004.11 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议

　　2004.08 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议

　　2004.07 获得公司成立以来最大的季度营业利润

　　2004.06 签订非内存事业营业权转让协议

　　2004.03 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz

　　2004.03 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证

　　2004.02 成功开发NAND闪存

　　2003.12 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU

　　2003.08 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。

　　2003.07 宣布在世界上首次发表DDR500

　　2003.06 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证

　　2003.05 采用0.10微米工艺技术投入生产 超低功率256Mb SDRAM投入批量生产

　　2003.04 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存

　　2003.03 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM

　　2002.11 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门

　　2002.10 开发0.10微米、512MB DDR

　　2002.08 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM

　　2002.06 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户

　　2002.03 开发1G DDR DRAM模块

　　2001.8 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

　　2001.08 完成与现代集团的最终分离

　　2001.07 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’

　　2001.05 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’ 剥离网络业务‘Hyundai Networks’

　　2001.03 公司更名为“Hynix半导体有限公司”

　　2000.08 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’

　　2000.04 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’

　　1999.10 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社

　　1999.03 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）

　　1998.09 开发64M的DDR SDRAM

　　1997.05 在世界上首次开发1G SDRAM

　　1996.12 公司股票上市

　　1995.10 在世界上首次开发256M的SDRAM

　　1995.10 在美国俄勒冈州设立半导体工厂

　　1993.09 获得半导体类ISO9001证书

　　1993.10 接管Maxtor公司（美国HDD生产公司）

　　1992.11 开发64M的DRAM

　　1991.03 开发16M的DRAM

　　1989.11 完成FAB III

　　1989.09 开发4M的DRAM

　　1988.11 在欧洲当地设立公司（HEE）

　　1988.01 开发1M的DRAM

　　1986.06 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”

　　1986.04 设立半导体研究院

　　1985.10 开始批量生产256K的DRAM

　　1984.09 完成FAB II-A

　　1983.02 创立现代电子株式会社

　　在内存市场曝光率最高的Hynix内存一贯被大家称之为现代内存，这当然与Hynix以前隶属韩国现代公司有相当大的关系；而Hynix内存在现代集团旗下时确实颇有建树，其高性价比的特点也深入人心。2005年，完全与现代集团剥离开来的Hynix内存登陆国内市场，正式命名为Hynix海力士内存

　　Hynix这几个特殊的字母组合是国内内存领域出现频率最高的一个字眼，这个当前全球内存第一大品牌，有几个DIYer不认识呢？也许你机箱中正在使用的内存上便有它的烙印。

　　大家都习惯将使用Hynix内存颗粒的内存条都称做为Hynix内存，其实真正韩国正品的Hynix品牌内存，可能很多人并没真正见过，也不知如何区分。

　　同时，Hynix内存一般被人误称为现代内存，如此的称呼真是让人感叹Hynix在隶属现代集团旗下时是多么的深入人心。其实，现在再把正品的Hynix 内存称为现代内存便有点过时了，Hynix海力士半导体公司已经从现代集团单独出来，并在国内正式启用Hynix海力士这个商标，正品的Hynix内存应 该称做Hynix海力士内存。Hynix海力士内存在国内与超胜科技（香港）有限公司(Leadram)签约，授权其作为中国大陆地区的唯一总代理，中国大陆所有正品Hynix海力士正品内存全由超胜科技有限公司运营销售。

　　(株)海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。

　　海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条 8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人。

　　1983.02 创立现代电子株式会社

　　1996.12 公司股票上市

　　1999.10 合并LG半导体，成立现代半导体株式会社

　　2001.03 公司更名为(株)海力士半导体

　　2001.08 完成与现代集团的最终剥离

　　2003.04 宣布与STMicroelectronics公司签定合作生产NAND闪存的协议

　　2003.06 512M DDR400产品在业内率先获得因特尔认证

　　2003.12 宣布与茂德科技签署长期的战略性MOU

　　2004.07 获得公司成立以来最大的季度销售利润

　　2005.03 发布2004年财务报表，实现高销售利润

　　2005.07 提前终止企业重组完善协议

　　意法半导体集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和Thomson 半导体公司合并而成。

　　1998年5月，公司名称改为意法半导体有限公司。

　　自成立以来，意法半导体已经大大拓宽了产品范围，升级了产品并提高了技术，同时加强了其在欧洲、北美和亚太地区的制造和分销能力，成为全球最大的半导体 公司之一。根据独立分析机构的最新资料，意法半导体是世界领先的专用模拟IC厂 商，在无线ASIC、计算机外设ASIC以及汽车ASSP领域的所有技术门类中均位居全 球领先行列。同时，在存储器市场,是NOR闪存的第四大供应商。

　　1987.06 意大利的SGS微电子和法国的Thomson半导体合并成立SGS-THOMSON(意法半导体)

　　1988.12 与Thom-EMI(UK)达成并购Inmos的初步协议

　　1990.03 与西门子就微控制器合作达成协议

　　1991.06 第一款16M EPROM样片问世

　　1992.04 与飞利浦就亚米逻辑IC技术开发达成协议

　　1993.05 与三菱公司就闪存合作达成协议

　　1994.10 与深圳赛格集团有限公司就后端业务及设计中心合作，在中国设立合资工厂

　　1997.02 意法半导体获得Ramtron ferroelectric 存储器技术授权许可，

　　意法半导体获得Rambus DRAM接口技术授权许可

　　1999.02 意法半导体与英特尔达成专利相互授权协议

　　1999.09 意法半导体获得美国环境保护署颁发的气候保护奖，

　　意法半导体被排名为全球可持续发展的领先的半导体公司

　　2000.10 意法半导体被Innovest公司评为生态效益“AAA”企业

　　2002.01 意法半导体被《财富》杂志评为欧洲最值得效力的10大公司之一

　　2002.03 飞利浦、台积电和意法半导体率先推出先进的90纳米CMOS技术

　　2003.03 兼并Proton World International公司

　　2003.06 在《商业周刊》评选的“信息技术100强”中，

　　意法半导体作为主要的半导体公司之一， 获得第二 名的殊荣，意法半导体被列入Philadelphia证券交易所的半导体公司索引名单

　　2004.12 意法半导体新加坡科技园开幕，该科技园包括晶圆厂、研发中心、

　　设计中心和亚太区总部等机构

　　海力士-意法半导体有限公司是由韩国(株)海力士半导体和欧洲意法半导体公司在江苏无锡新区出口加工区合资建造的世界一流存储器制造的外商独资公司。其主要产品为8英寸及12英寸集成电路晶圆，应用范围涉及存储器、消费类产品、移动、SOC及系统IC等领域。

　　该项目是无锡市惟一获得国务院核准建设的工业项目，总投资为20亿美元，是国内半导体单体投资规模最大、技术最先进的项目，也是江苏省最大的外商独资项目。

　　公司将采用世界最先进的技术来生产DRAM和Nand 闪存。

　　作为两个在半导体行业举足轻重集团的合资公司，海力士-意法半导体有限公司必将迈着稳健的步伐，前进在成长繁荣的道路上。