>给我说出内存的分类.频率什么的.还有内存神卡有什么区别>>ddr2与ddr的区别>>与ddr相比,ddr2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于ddr内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个dram核心来实现的。作为对比,在每个设备上ddr内存只能够使用一个dram核心。技术上讲,ddr2内存上仍然只有一个dram核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。>>与双倍速运行的数据缓冲相结合,ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于,它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。>>然而,尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样,但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存,因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样,ddr2的针脚数量为240针,而ddr内存为184针;其次,ddr2内存的vdimm电压为1.8v,也和ddr内存的2.5v不同。>>ddr2的定义:>>ddr2(double data rate 2) sdram是由jedec(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。>>此外,由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式,而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式,fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程,从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术,第一代ddr的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。>>ddr2与ddr的区别:>>在了解ddr2内存诸多新技术前,先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。>>1、延迟问题:>>从上表可以看出,在同等核心频率下,ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说,虽然ddr2和ddr一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100mhz的工作频率下,ddr的实际频率为200mhz,而ddr2则可以达到400mhz。>>这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的ddr和ddr2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,ddr 200和ddr2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,ddr2-400和ddr 400具有相同的带宽,它们都是3.2gb/s,但是ddr400的核心工作频率是200mhz,而ddr2-400的核心工作频率是100mhz,也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。>>2、封装和发热量:>>ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,ddr2可以获得更快的频率提升,突破标准ddr的400mhz限制。>>ddr内存通常采用tsop芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200mhz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式,fbga封装提供了更好的电气性能与散热性,为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。>>ddr2内存采用1.8v电压,相对于ddr标准的2.5v,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。>>ddr2采用的新技术:>>除了以上所说的区别外,ddr2还引入了三项新的技术,它们是ocd、odt和post cas。>>ocd(off-chip driver):也就是所谓的离线驱动调整,ddr ii通过ocd可以提高信号的完整性。ddr ii通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。>>odt:odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是ddr不能比拟的。>>post cas:它是为了提高ddr ii内存的利用效率而设定的。在post cas操作中,cas信号(读写/命令)能够被插到ras信号后面的一个时钟周期,cas命令可以在附加延迟(additive latency)后面保持有效。原来的trcd(ras到cas和延迟)被al(additive latency)所取代,al可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期,因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。>>总的来说,ddr2采用了诸多的新技术,改善了ddr的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。>>ddr3与ddr2几个主要的不同之处 :>>1.突发长度(burst length,bl)>>由于ddr3的预取为8bit,所以突发传输周期(burst length,bl)也固定为8,而对于ddr2和早期的ddr架构系统,bl=4也是常用的,ddr3为此增加了一个4bit burst chop(突发突变)模式,即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输,届时可通过a12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在ddr3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。>>2.寻址时序(timing)>>就像ddr2从ddr转变而来后延迟周期数增加一样,ddr3的cl周期也将比ddr2有所提高。ddr2的cl范围一般在2～5之间,而ddr3则在5～11之间,且附加延迟(al)的设计也有所变化。ddr2时al的范围是0～4,而ddr3时al有三种选项,分别是0、cl-1和cl-2。另外,ddr3还新增加了一个时序参数――写入延迟(cwd),这一参数将根据具体的工作频率而定。>>3.ddr3新增的重置(reset)功能>>重置是ddr3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。dram业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在ddr3上实现了。这一引脚将使ddr3的初始化处理变得简单。当reset命令有效时,ddr3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。>>在reset期间,ddr3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,dll(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使ddr3达到最节省电力的目的。>>4.ddr3新增zq校准功能>>zq也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(on-die calibration engine,odce)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与odt的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和odt电阻进行重新校准。>>5.参考电压分成两个>>在ddr3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号vref将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的vrefca和为数据总线服务的vrefdq,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。>>6.点对点连接(point-to-point,p2p)>>这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是ddr3与ddr2的一个关键区别。在ddr3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与ddr3内存模组之间是点对点(p2p)的关系(单物理bank的模组),或者是点对双点(point-to-two-point,p22p)的关系(双物理bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与ddr2的类别相类似,也有标准dimm(台式pc)、so-dimm/micro-dimm(笔记本电脑)、fb-dimm2(服务器)之分,其中第二代fb-dimm将采用规格更高的amb2(高级内存缓冲器)。>>面向64位构架的ddr3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于ddr3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面ddr3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接ddr2内存的不是台式机而是服务器一样。在cpu外频提升最迅速的pc台式机领域,ddr3未来也是一片光明。目前intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(bear lake),其将支持ddr3规格,而amd也预计同时在k9平台上支持ddr2及ddr3两种规格。>>内存异步工作模式包含多种意义,在广义上凡是内存工作频率与cpu的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先,最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中,可以使内存工作在比cpu外频高33mhz或者低33mhz的模式下(注意只是简单相差33mhz),从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次,在正常的工作模式(cpu不超频)下,目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式,例如intel 910gl芯片组,仅仅只支持533mhz fsb即133mhz的cpu外频,但却可以搭配工作频率为133mhz的ddr 266、工作频率为166mhz的ddr 333和工作频率为200mhz的ddr 400正常工作(注意此时其cpu外频133mhz与ddr 400的工作频率200mhz已经相差66mhz了),只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。再次,在cpu超频的情况下,为了不使内存拖cpu超频能力的后腿,此时可以调低内存的工作频率以便于超频,例如amd的socket 939接口的opteron 144非常容易超频,不少产品的外频都可以轻松超上300mhz,而此如果在内存同步的工作模式下,此时内存的等效频率将高达ddr 600,这显然是不可能的,为了顺利超上300mhz外频,我们可以在超频前在主板bios中把内存设置为ddr 333或ddr 266,在超上300mhz外频之后,前者也不过才ddr 500(某些极品内存可以达到),而后者更是只有ddr 400(完全是正常的标准频率),由此可见,正确设置内存异步模式有助于超频成功。>>目前的主板芯片组几乎都支持内存异步,英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持,而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。>>详细:请浏览http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b2472b8010009pt.html>>内存介绍:http://product.thethirdmedia.com/c2/brand.html>>内容>>推荐
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